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产品规格

封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	QFET?
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	8-SOP
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	2.1nC @ 5V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	550 毫欧 @ 650mA，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	1.3A，300mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.95V @ 20mA
漏源电压（Vdss）	60V，300V
功率 - 最大值	2W
关键词

产品资料

数据列表	FQS4900 8-SOP Tape and Reel Data
标准包装	1
其它名称	FQS4900TFCT

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 QFET?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 QFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 QFET?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 QFET?   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 8-SOP  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 8-SOP  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 2.1nC @ 5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 650mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 650mA，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 650mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 550 毫欧 @ 650mA，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A，300mA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A，300mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A，300mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1.3A，300mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 20mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 20mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 20mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 20mA   漏源电压（Vdss） 60V，300V  Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压（Vdss） 60V，300V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V，300V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V，300V   功率 - 最大值 2W  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 2W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W