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FQU4N50TU_WS - 

MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK

Fairchild/ON Semiconductor FQU4N50TU_WS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQU4N50TU_WS
仓库库存编号:
FQU4N50TU_WS-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) I-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

FQU4N50TU_WS产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  13nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  2.7 欧姆 @ 1.3A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  2.6A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  460pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  2.5W(Ta),45W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQU4N50TU_WS
标准包装 70

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