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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	剪切带（CT）
零件状态	在售
供应商器件封装	3-SSOT
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 500mA，2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Power - Max	500mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	350mV @ 200mA，2A
频率 - 跃迁	75MHz
关键词

产品资料

数据列表	FSB560 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
PCN 封装	Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
标准包装	1
其它名称	FSB560CT

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 3-SSOT  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 3-SSOT  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-SSOT  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 3-SSOT   晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 500mA，2V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V   Power - Max 500mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 500mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 500mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 200mA，2A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 200mA，2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 200mA，2A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 350mV @ 200mA，2A   频率 - 跃迁 75MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 75MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 75MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 75MHz