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H11F3M - 

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

Fairchild/ON Semiconductor H11F3M
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
H11F3M
仓库库存编号：
H11F3M-ND
描述：
OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Optoisolator MOSFET Output 7500Vpk Channel 6-DIP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

H11F3M产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-DIP（0.300"，7.62mm）  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 100°C  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-DIP  
  电流 - 输出/通道  -  
  输出类型  MOSFET  
  输入类型  DC  
  电压 - 正向（Vf）（典型值）  1.3V  
  电压 - 输出（最大值）  15V  
  Vce 饱和值（最大值）  -  
  打开 / 关闭时间（典型值）  45μs，45μs（最大）  
  电压 - 隔离  7500Vpk  
  上升/下降时间（典型值）  -  
  电流传输比（最大值）  -  
  电流传输比（最小值）  -  
  电流 - DC 正向（If）  60mA  
  通道数  1  
关键词         

产品资料
数据列表 H11F1M-3M
标准包装 1,000

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