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HGT1S10N120BNST - 

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Fairchild/ON Semiconductor HGT1S10N120BNST
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HGT1S10N120BNST
仓库库存编号：
HGT1S10N120BNSTCT-ND
描述：
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HGT1S10N120BNST产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-263AB  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  298W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  35A  
  测试条件  960V，10A，10 欧姆，15V  
  开关能量  320μJ（开），800μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  80A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.7V @ 15V，10A  
  25°C 时 Td（开/关）值  23ns/165ns  
  栅极电荷  100nC  
关键词         

产品资料
数据列表 HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
标准包装 1
其它名称 HGT1S10N120BNSTCT

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