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HGT1S12N60A4DS - 

IGBT 600V 54A 167W D2PAK

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Fairchild/ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HGT1S12N60A4DS
仓库库存编号:
HGT1S12N60A4DS-ND
描述:
IGBT 600V 54A 167W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Surface Mount TO-263AB
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HGT1S12N60A4DS产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TO-263AB  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  30ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  167W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  54A  
  测试条件  390V,12A,10 欧姆,15V  
  开关能量  55μJ(开),50μJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  96A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.7V @ 15V,12A  
  25°C 时 Td(开/关)值  17ns/96ns  
  栅极电荷  78nC  
关键词         

产品资料
数据列表 HGTP12N60A4D
标准包装 50

HGT1S12N60A4DS相关搜索

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