HGT1S12N60A4S9A,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A -
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGT1S12N60A4S9A
仓库库存编号:
HGT1S12N60A4S9ACT-ND
描述:
IGBT 600V 54A 167W TO263AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 54A 167W Surface Mount TO-263AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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HGT1S12N60A4S9A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-263AB
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
167W
Current - Collector (Ic) (Max)
54A
测试条件
390V,12A,10 欧姆,15V
开关能量
55μJ(开),50μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
96A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,12A
25°C 时 Td(开/关)值
17ns/96ns
栅极电荷
78nC
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
HGT1S12N60A4S9ACT
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 过期
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-263AB
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输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 167W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 167W
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Current - Collector (Ic) (Max) 54A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 54A
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测试条件 390V,12A,10 欧姆,15V
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25°C 时 Td(开/关)值 17ns/96ns
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栅极电荷 78nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 78nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 78nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 78nC
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