HGT1S20N60C3S9A,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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HGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9A -
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGT1S20N60C3S9A
仓库库存编号:
HGT1S20N60C3S9A-ND
描述:
IGBT 600V 45A 164W TO263AB
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Surface Mount TO-263AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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HGT1S20N60C3S9A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-263AB
输入类型
标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
164W
Current - Collector (Ic) (Max)
45A
测试条件
480V,20A,10 欧姆,15V
开关能量
295μJ(开),500μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.8V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
28ns/151ns
栅极电荷
91nC
关键词
产品资料
数据列表
HGT(G,P)20N60C3, HGT1S20N60C3S
标准包装
800
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-263AB
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输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 164W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 164W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 164W
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Current - Collector (Ic) (Max) 45A
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测试条件 480V,20A,10 欧姆,15V
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开关能量 295μJ(开),500μJ(关)
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栅极电荷 91nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 91nC
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