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产品规格

封装/外壳	TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-263AB
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	37ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	60W
Current - Collector (Ic) (Max)	14A
测试条件	480V，7A，50欧姆，15V
开关能量	165μJ（开），600μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	56A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，7A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	23nC
关键词

产品资料

标准包装	50

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-263AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263AB  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-263AB   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 37ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 37ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 37ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 37ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 60W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 60W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W   Current - Collector (Ic) (Max) 14A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 14A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 14A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 14A   测试条件 480V，7A，50欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 480V，7A，50欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，7A，50欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，7A，50欧姆，15V   开关能量 165μJ（开），600μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 165μJ（开），600μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 165μJ（开），600μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 165μJ（开），600μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 56A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，7A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 23nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 23nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 23nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 23nC