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HGTD1N120BNS9A - 

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Fairchild/ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HGTD1N120BNS9A
仓库库存编号：
HGTD1N120BNS9ACT-ND
描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HGTD1N120BNS9A产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-252AA  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  60W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  5.3A  
  测试条件  960V，1A，82 欧姆，15V  
  开关能量  70μJ（开），90μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  6A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.9V @ 15V，1A  
  25°C 时 Td（开/关）值  15ns/67ns  
  栅极电荷  14nC  
关键词         

产品资料
数据列表 HGTD1N120BNS, HGTP1N120BN
标准包装 1
其它名称 HGTD1N120BNS9ACT

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