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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-252AA
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	33W
Current - Collector (Ic) (Max)	6A
测试条件	480V，3A，82欧姆，15V
开关能量	85μJ（开），245μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	24A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2V @ 15V，3A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	10.8nC
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-252AA  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 33W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 33W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 33W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 33W   Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 6A   测试条件 480V，3A，82欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 480V，3A，82欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，82欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 480V，3A，82欧姆，15V   开关能量 85μJ（开），245μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 85μJ（开），245μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 85μJ（开），245μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 85μJ（开），245μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 24A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，3A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，3A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，3A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2V @ 15V，3A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 10.8nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 10.8nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 10.8nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 10.8nC