HGTG10N120BND,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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HGTG10N120BND
HGTG10N120BND -
IGBT 1200V 35A 298W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGTG10N120BND
仓库库存编号:
HGTG10N120BND-ND
描述:
IGBT 1200V 35A 298W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 35A 298W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
HGTG10N120BND产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
70ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
298W
Current - Collector (Ic) (Max)
35A
测试条件
960V,10A,10 欧姆,15V
开关能量
850μJ(开),800μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
80A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,10A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/165ns
栅极电荷
100nC
关键词
产品资料
数据列表
HGTG10N120BND
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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型号:
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仓库库存编号:
RHRP15120-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 21A 167W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247
型号:
HGTG5N120BND
仓库库存编号:
HGTG5N120BNDFS-ND
别名:HGTG5N120BND-ND
HGTG5N120BNDFS
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 43A 298W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
型号:
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仓库库存编号:
HGTG11N120CND-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 59A(Tc) 500W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA59N30
仓库库存编号:
FDA59N30-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
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详细描述:通孔 N 沟道 38A(Tc) 312W(Tc) TO-3PN
型号:
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仓库库存编号:
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,10A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,10A
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25°C 时 Td(开/关)值 23ns/165ns
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/165ns
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栅极电荷 100nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 100nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 100nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 100nC
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