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HGTG18N120BND
HGTG18N120BND -
IGBT 1200V 54A 390W TO247
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGTG18N120BND
仓库库存编号:
HGTG18N120BND-ND
描述:
IGBT 1200V 54A 390W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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HGTG18N120BND产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
75ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
390W
Current - Collector (Ic) (Max)
54A
测试条件
960V,18A,3 欧姆,15V
开关能量
1.9mJ(开), 1.8mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
160A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,18A
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/170ns
栅极电荷
165nC
关键词
产品资料
数据列表
HGTG18N120BND
标准包装
30
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封装/外壳 TO-247-3
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-247
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247
输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 75ns
Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 75ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
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Power - Max 390W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 390W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 390W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 390W
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 54A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 54A
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测试条件 960V,18A,3 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 960V,18A,3 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 960V,18A,3 欧姆,15V
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开关能量 1.9mJ(开), 1.8mJ(关)
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 1.9mJ(开), 1.8mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.9mJ(开), 1.8mJ(关)
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Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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IGBT 类型 NPT
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,18A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,18A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,18A
25°C 时 Td(开/关)值 23ns/170ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/170ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/170ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 23ns/170ns
栅极电荷 165nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 165nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 165nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 165nC
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