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HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D -
IGBT 600V 70A 290W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGTG20N60A4D
仓库库存编号:
HGTG20N60A4DFS-ND
描述:
IGBT 600V 70A 290W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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HGTG20N60A4D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
35ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
290W
Current - Collector (Ic) (Max)
70A
测试条件
390V,20A,3 欧姆,15V
开关能量
105μJ(开),150μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
280A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.7V @ 15V,20A
25°C 时 Td(开/关)值
15ns/73ns
栅极电荷
142nC
关键词
产品资料
数据列表
HGTG20N60A4D
标准包装
30
其它名称
HGTG20N60A4D-ND
HGTG20N60A4D_NL
HGTG20N60A4D_NL-ND
HGTG20N60A4DFS
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 75A 463W TO247
详细描述:IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
型号:
HGTG30N60A4D
仓库库存编号:
HGTG30N60A4D-ND
别名:HGTG30N60A4D_NL
HGTG30N60A4D_NL-ND
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 21A 167W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247
型号:
HGTG5N120BND
仓库库存编号:
HGTG5N120BNDFS-ND
别名:HGTG5N120BND-ND
HGTG5N120BNDFS
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 80A 375W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 375W Through Hole TO-247
型号:
STGW60V60DF
仓库库存编号:
497-13768-5-ND
别名:497-13768-5
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-247
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输入类型 标准
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测试条件 390V,20A,3 欧姆,15V
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不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,20A
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.7V @ 15V,20A
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25°C 时 Td(开/关)值 15ns/73ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/73ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/73ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 15ns/73ns
栅极电荷 142nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 142nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 142nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 142nC
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