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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	500W
Current - Collector (Ic) (Max)	72A
测试条件	960V，27A，3 欧姆，15V
开关能量	2.2mJ（开）， 2.3mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	216A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，27A
25°C 时 Td（开/关）值	24ns/195ns
栅极电荷	270nC
关键词

产品资料

数据列表	HGTG27N120BN, HGT5A27N120BN
标准包装	30

封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 500W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 500W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 500W   Current - Collector (Ic) (Max) 72A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 72A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 72A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 72A   测试条件 960V，27A，3 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 960V，27A，3 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，27A，3 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 960V，27A，3 欧姆，15V   开关能量 2.2mJ（开）， 2.3mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 2.2mJ（开）， 2.3mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.2mJ（开）， 2.3mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.2mJ（开）， 2.3mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 216A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 216A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 216A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 216A   IGBT 类型 NPT  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，27A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，27A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，27A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，27A   25°C 时 Td（开/关）值 24ns/195ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/195ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/195ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 24ns/195ns   栅极电荷 270nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 270nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 270nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 270nC