HGTG30N60A4D,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D -
IGBT 600V 75A 463W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGTG30N60A4D
仓库库存编号:
HGTG30N60A4D-ND
描述:
IGBT 600V 75A 463W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 75A 463W Through Hole TO-247-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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HGTG30N60A4D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247-3
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
55ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
463W
Current - Collector (Ic) (Max)
75A
测试条件
390V,30A,3 欧姆,15V
开关能量
280μJ(开),240μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.6V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
25ns/150ns
栅极电荷
225nC
关键词
产品资料
数据列表
HGTG30N60A4D
标准包装
30
其它名称
HGTG30N60A4D_NL
HGTG30N60A4D_NL-ND
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型号:
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仓库库存编号:
IR2110PBF-ND
别名:*IR2110PBF
SP001536788
无铅
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详细描述:IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
型号:
HGTG20N60A4D
仓库库存编号:
HGTG20N60A4DFS-ND
别名:HGTG20N60A4D-ND
HGTG20N60A4D_NL
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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栅极电荷 225nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 225nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 225nC
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