HGTG30N60B3D,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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HGTG30N60B3D
HGTG30N60B3D -
IGBT 600V 60A 208W TO247
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
HGTG30N60B3D
仓库库存编号:
HGTG30N60B3D-ND
描述:
IGBT 600V 60A 208W TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
HGTG30N60B3D产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-247
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
55ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
208W
Current - Collector (Ic) (Max)
60A
测试条件
480V,30A,3 欧姆,15V
开关能量
550μJ(开),680μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
220A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
1.9V @ 15V,30A
25°C 时 Td(开/关)值
36ns/137ns
栅极电荷
170nC
关键词
产品资料
数据列表
HGTG30N60B3D
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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仓库库存编号:
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别名:497-1588-1
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仓库库存编号:
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别名:516-1473-5
HCPL2232000E
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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包装 管件
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零件状态 不可用于新设计
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供应商器件封装 TO-247
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栅极电荷 170nC
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 170nC
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