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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	不可用于新设计
供应商器件封装	TO-247
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	625W
Current - Collector (Ic) (Max)	75A
测试条件	390V，40A，2.2欧姆，15V
开关能量	400μJ（开），370μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	300A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	25ns/145ns
栅极电荷	350nC
关键词

产品资料

数据列表	HGTG40N60A4
标准包装	30
其它名称	HGTG40N60A4_NL HGTG40N60A4_NL-ND

封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 不可用于新设计  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计   供应商器件封装 TO-247  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 625W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 625W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 625W   Current - Collector (Ic) (Max) 75A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 75A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 75A   测试条件 390V，40A，2.2欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 390V，40A，2.2欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，40A，2.2欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，40A，2.2欧姆，15V   开关能量 400μJ（开），370μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 400μJ（开），370μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 400μJ（开），370μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 400μJ（开），370μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 25ns/145ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/145ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/145ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/145ns   栅极电荷 350nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 350nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 350nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 350nC