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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220-3
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	34A
测试条件	390V，7A，25 欧姆，15V
开关能量	55μJ（开），150μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	56A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.7V @ 15V，7A
25°C 时 Td（开/关）值	11ns/100ns
栅极电荷	60nC
关键词

产品资料

数据列表	HGTP7N60A4
标准包装	800

封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220-3   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 125W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 125W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 34A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 34A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 34A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 34A   测试条件 390V，7A，25 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 390V，7A，25 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，7A，25 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 390V，7A，25 欧姆，15V   开关能量 55μJ（开），150μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 55μJ（开），150μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 55μJ（开），150μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 55μJ（开），150μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 56A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 56A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，7A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，7A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，7A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.7V @ 15V，7A   25°C 时 Td（开/关）值 11ns/100ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/100ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/100ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 11ns/100ns   栅极电荷 60nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 60nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 60nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 60nC