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HUF75329P3 - 

MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor HUF75329P3
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制造商产品编号：
HUF75329P3
仓库库存编号：
HUF75329P3-ND
描述：
MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 128W（Tc） TO-220AB
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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HUF75329P3
库存编号:2156-HUF75329P3-HC-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 55V 49A TO220-33077
468起订		468+
￥7.98
6-10天购买 购买
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HUF75329P3
库存编号:HUF75329P3-ND		 onsemi MOSFET N-CH 55V 49A TO220-30
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HUF75329P3
库存编号:87278621		 Harris Semiconductor HUF75329P30
540起订		540+
1000+
￥9.33
￥8.81
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HUF75329P3产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  UltraFET??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  75nC @ 20V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  24 毫欧 @ 49A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  49A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1060pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  128W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  55V  
关键词         

产品资料
标准包装 400

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HUF75329P3
[更多]		 ON Semiconductor

MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET

RoHS: Compliant

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HUF75329P3
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - HUF75329P3 - MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 49A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 128W（Tc） TO-220AB

型号：HUF75329P3
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