HUFA76413DK8T_F085,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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HUFA76413DK8T_F085 - 

MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO

  • 不推荐用于新设计，因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Fairchild/ON Semiconductor HUFA76413DK8T_F085
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
HUFA76413DK8T_F085
仓库库存编号：
HUFA76413DK8T_F085-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.1A 2.5W Surface Mount 8-SO
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HUFA76413DK8T_F085产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  汽车级， AEC-Q101， UltraFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  8-SO  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  23nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  49 毫欧 @ 5.1A，10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5.1A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  620pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  2.5W  
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产品资料
数据列表 HUFA76413DK8T_F085
标准包装 2,500

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