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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 175°C（TJ）
系列	EcoSPARK?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-252AA
输入类型	逻辑
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	430V
Power - Max	130W
Current - Collector (Ic) (Max)	10A
测试条件	300V，1 千欧，5V
开关能量	-
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.9V @ 4V，6A
25°C 时 Td（开/关）值	-/3.64μs
栅极电荷	12nC
关键词

产品资料

数据列表	ISL9V2040D3S/S3S/P3
标准包装	900
其它名称	ISL9V2040D3S_NL ISL9V2040D3S_NL-ND

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）   系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 系列 EcoSPARK?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 EcoSPARK?   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-252AA  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA   输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V   Power - Max 130W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 130W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 130W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 130W   Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 10A   测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V，1 千欧，5V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1 千欧，5V   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4V，6A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4V，6A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.9V @ 4V，6A   25°C 时 Td（开/关）值 -/3.64μs  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -/3.64μs  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/3.64μs  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -/3.64μs   栅极电荷 12nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 12nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 12nC