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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 短体
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92S
晶体管类型	PNP
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	300 @ 1mA，6V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁	100MHz
关键词

产品资料

标准包装	3,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 短体   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92S  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92S  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92S  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92S   晶体管类型 PNP  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 PNP   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，6V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，6V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，6V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 300 @ 1mA，6V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V   Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA   Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 1mA，10mA   频率 - 跃迁 100MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 100MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz