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产品规格

封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-126-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 300mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Power - Max	1.2W
电流 - 集电极截止（最大值）	1μA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	1.2A
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	700mV @ 200mA，1A
频率 - 跃迁	155MHz
关键词

产品资料

数据列表	KSC2690/A
标准包装	2,880

封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-225AA，TO-126-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-126-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-126-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-126-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-126-3   晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 300mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 300mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 300mA，5V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 300mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V   Power - Max 1.2W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 1.2W  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.2W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.2W   电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 1μA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 200mA，1A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 200mA，1A  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 200mA，1A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 700mV @ 200mA，1A   频率 - 跃迁 155MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 155MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 155MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 155MHz