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产品规格

封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-23-3
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	120 @ 2mA，12V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	30V
Power - Max	150mW
电流 - 集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	400mV @ 1mA，10mA
频率 - 跃迁	400MHz
关键词

产品资料

数据列表	Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
标准包装	3,000

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 -   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-23-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-23-3   晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，12V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，12V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，12V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V   Power - Max 150mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 150mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 150mW   电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 50mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 1mA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 1mA，10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 1mA，10mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 400mV @ 1mA，10mA   频率 - 跃迁 400MHz  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 400MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 400MHz  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 400MHz