KSD5041QTA,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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KSD5041QTA
KSD5041QTA -
TRANS NPN 20V 5A TO-92
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
KSD5041QTA
仓库库存编号:
KSD5041QTACT-ND
描述:
TRANS NPN 20V 5A TO-92
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 5A 150MHz 750mW Through Hole TO-92-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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KSD5041QTA产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-92-3
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
230 @ 500mA,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Power - Max
750mW
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
5A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 100mA,3A
频率 - 跃迁
150MHz
关键词
产品资料
数据列表
KSD5041
标准包装
1
其它名称
KSD5041QTACT
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封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 通孔
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-92-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 TO-92-3
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晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 230 @ 500mA,2V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 230 @ 500mA,2V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 230 @ 500mA,2V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 230 @ 500mA,2V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V
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Power - Max 750mW
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 750mW
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电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)
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Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 100mA,3A
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频率 - 跃迁 150MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 150MHz
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