KSH44H11ITU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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KSH44H11ITU
KSH44H11ITU -
TRANS NPN 80V 8A I-PAK
当零件存货耗尽后,该零件将成为非库存货;此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
KSH44H11ITU
仓库库存编号:
KSH44H11ITU-ND
描述:
TRANS NPN 80V 8A I-PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 50MHz 1.75W Through Hole I-Pak
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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KSH44H11ITU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
I-Pak
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
40 @ 4A,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Power - Max
1.75W
电流 - 集电极截止(最大值)
10μA
Current - Collector (Ic) (Max)
8A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
1V @ 400mA,8A
频率 - 跃迁
50MHz
关键词
产品资料
数据列表
KSH44H11
标准包装
70
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封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 通孔
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工作温度 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 管件
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 管件
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 I-Pak
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 I-Pak
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 I-Pak
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 I-Pak
晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 4A,1V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 4A,1V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 4A,1V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 4A,1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Power - Max 1.75W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 1.75W
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.75W
电流 - 集电极截止(最大值) 10μA
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 电流 - 集电极截止(最大值) 10μA
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Current - Collector (Ic) (Max) 8A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 1V @ 400mA,8A
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 50MHz
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