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产品规格

封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	16-SOIC
晶体管类型	4 PNP（四路）
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 150mA，10V
电流 - 集电极截止（最大值）	50nA（ICBO）
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.6V @ 30mA，300mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	1W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	40V
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 封装/外壳 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 工作温度 -   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 16-SOIC  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 16-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 供应商器件封装 16-SOIC   晶体管类型 4 PNP（四路）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管类型 4 PNP（四路）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 晶体管类型 4 PNP（四路）   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 150mA，10V   电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 50nA（ICBO）   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 30mA，300mA  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 30mA，300mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 30mA，300mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 1.6V @ 30mA，300mA   频率 - 跃迁 -  Fairchild/ON Semiconductor 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 频率 - 跃迁 -   功率 - 最大值 1W  Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 1W  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 功率 - 最大值 1W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 600mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 电压 - 集射极击穿（最大值） 40V