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NDS336P
NDS336P -
MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
NDS336P
仓库库存编号:
NDS336PCT-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SSOT3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 1.2A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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NDS336P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
过期
供应商器件封装
SuperSOT-3
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
8.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
200 毫欧 @ 1.3A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.2A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
360pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
标准包装
1
其它名称
NDS336PCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN336P
仓库库存编号:
FDN336PCT-ND
别名:FDN336PCT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
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Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 SuperSOT-3
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SuperSOT-3
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±8V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±8V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±8V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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