NDT3055L,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - FET,MOSFET - 单
>
NDT3055L
NDT3055L -
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
NDT3055L
仓库库存编号:
NDT3055LCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 3W(Ta) SOT-223-4
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
NDT3055L产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223-4
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
20nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
100 毫欧 @ 4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
345pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
3W(Ta)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
数据列表
NDT3055L
MA04A Pkg Drawing
标准包装
1
其它名称
NDT3055LCT
NDT3055L您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Molex, LLC
CONN HEADER 3POS .100 VERT GOLD
详细描述:3 位 接头 连接器 0.100"(2.54mm) 通孔 金
型号:
0022112032
仓库库存编号:
WM2701-ND
别名:0022-11-2032
0022-11-2032-C
0022112032-C
22-11-2032
22-11-2032-C
22-11-2032-P
22112032
22112032-C
A-6373-03A241
WM2701
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
NDS331N
仓库库存编号:
NDS331NCT-ND
别名:NDS331NCT
无铅
搜索
Micro Commercial Co
DIODE GEN 75V 150MA MINI MELF
详细描述:标准 表面贴装 二极管 150mA 迷你型 MELF
型号:
DL4148-TP
仓库库存编号:
DL4148-TPMSCT-ND
别名:DL4148-TPMSCT
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD323F
详细描述:Zener Diode 200mW ±2% Surface Mount SOD-323F
型号:
MM3Z2V7B
仓库库存编号:
MM3Z2V7BCT-ND
别名:MM3Z2V7BCT
无铅
搜索
Texas Instruments
IC SINK/SOURCE DDR REG 10-SON
详细描述:- Converter, DDR Voltage Regulator IC 1 Output 10-VSON (3x3)
型号:
TPS51200DRCT
仓库库存编号:
296-23830-1-ND
别名:296-23830-1
无铅
搜索
NDT3055L相关搜索
封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SOT-223-4
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-223-4
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223-4
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223-4
技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Fairchild/ON Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 N 沟道
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 4A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 345pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 345pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 345pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 345pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 3W(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 3W(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3W(Ta)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 3W(Ta)
漏源电压(Vdss) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号