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产品规格

封装/外壳	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-92-3
FET 类型	P 沟道
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	45pF @ 15V
Power - Max	350mW
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）	5mA @ 20V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）	5V @ 1μA
电压 - 击穿（V（BR）GSS）	30V
电阻 - RDS（开）	150 欧姆
关键词

产品资料

标准包装	2,000

封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - JFET 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - JFET 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 系列 -   包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带盒（TB）   晶体管 - JFET 包装 带盒（TB）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - JFET 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-92-3  晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 供应商器件封装 TO-92-3   FET 类型 P 沟道  Fairchild/ON Semiconductor FET 类型 P 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET FET 类型 P 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 15V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 45pF @ 15V   Power - Max 350mW  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 350mW  晶体管 - JFET Power - Max 350mW  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET Power - Max 350mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 5mA @ 20V  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 5mA @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 5mA @ 20V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 5mA @ 20V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 5V @ 1μA  Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 5V @ 1μA  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 5V @ 1μA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） 5V @ 1μA   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 30V   电阻 - RDS（开） 150 欧姆  Fairchild/ON Semiconductor 电阻 - RDS（开） 150 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 150 欧姆  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 150 欧姆