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RFD3055SM9A
RFD3055SM9A -
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
RFD3055SM9A
仓库库存编号:
RFD3055SM9A-ND
描述:
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 60V 12A(Tc) 53W(Tc) TO-252AA
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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RFD3055SM9A产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-252AA
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
23nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
150 毫欧 @ 12A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
12A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
300pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
53W(Tc)
漏源电压(Vdss)
60V
关键词
产品资料
标准包装
2,500
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -
包装 带卷(TR)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 TO-252AA
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-252AA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-252AA
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 23nC @ 20V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 12A,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 300pF @ 25V
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 53W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 53W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 60V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 60V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 60V
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