SGL160N60UFDTU,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
>
SGL160N60UFDTU
SGL160N60UFDTU -
IGBT 600V 160A 250W TO264
不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
SGL160N60UFDTU
仓库库存编号:
SGL160N60UFDTU-ND
描述:
IGBT 600V 160A 250W TO264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 160A 250W Through Hole TO-264
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
SGL160N60UFDTU产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
不可用于新设计
供应商器件封装
TO-264
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
95ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
250W
Current - Collector (Ic) (Max)
160A
测试条件
300V,80A,3.9 欧姆,15V
开关能量
2.5mJ(开),1.76mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
300A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.6V @ 15V,80A
25°C 时 Td(开/关)值
40ns/90ns
栅极电荷
345nC
关键词
产品资料
数据列表
SGL160N60UFD
标准包装
25
SGL160N60UFDTU您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 64A 500W TO264
详细描述:IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
型号:
FGL40N120ANDTU
仓库库存编号:
FGL40N120ANDTU-ND
别名:FGL40N120ANDTU_NL
FGL40N120ANDTU_NL-ND
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 250W TO264
详细描述:IGBT 600V 80A 250W Through Hole TO-264
型号:
SGL50N60RUFDTU
仓库库存编号:
SGL50N60RUFDTU-ND
无铅
搜索
TE Connectivity AMP Connectors
CONN PLUG 19POS IN-LINE METRIC
详细描述:19 Position Rectangular Housing Connector Plug Red 0.098" (2.50mm)
型号:
208100-1
仓库库存编号:
A113033-ND
别名:208100-1-ND
A113033
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 80A 428W TO247-3
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 80A 428W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW75N60TFKSA1
仓库库存编号:
IKW75N60TFKSA1-ND
别名:IKW75N60T
IKW75N60T-ND
SP000054889
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 378W TO247
详细描述:IGBT Field Stop 600V 120A 378W Through Hole TO-247
型号:
FGH60N60SFDTU_F085
仓库库存编号:
FGH60N60SFDTU_F085-ND
无铅
搜索
SGL160N60UFDTU相关搜索
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 系列 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -
包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 不可用于新设计
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 不可用于新设计
供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-264
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264
输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
反向恢复时间(trr) 95ns
Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间(trr) 95ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 95ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 95ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Power - Max 250W
Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 250W
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 250W
Current - Collector (Ic) (Max) 160A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 160A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 160A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 160A
测试条件 300V,80A,3.9 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V,80A,3.9 欧姆,15V
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,80A,3.9 欧姆,15V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,80A,3.9 欧姆,15V
开关能量 2.5mJ(开),1.76mJ(关)
Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 2.5mJ(开),1.76mJ(关)
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ(开),1.76mJ(关)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ(开),1.76mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.6V @ 15V,80A
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.6V @ 15V,80A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.6V @ 15V,80A
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.6V @ 15V,80A
25°C 时 Td(开/关)值 40ns/90ns
Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/90ns
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/90ns
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 40ns/90ns
栅极电荷 345nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 345nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 345nC
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 345nC
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号