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产品规格

封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	SOT-223-4
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	2.1W
Current - Collector (Ic) (Max)	2.4A
测试条件	300V，1.2A，200 欧姆，15V
开关能量	30μJ（开），13μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	10A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.6V @ 15V，1.2A
25°C 时 Td（开/关）值	15ns/80ns
栅极电荷	9nC
关键词

产品资料

标准包装	4,000

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 SOT-223-4  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SOT-223-4  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223-4  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-223-4   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 2.1W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 2.1W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 2.1W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 2.1W   Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A   测试条件 300V，1.2A，200 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V，1.2A，200 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1.2A，200 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，1.2A，200 欧姆，15V   开关能量 30μJ（开），13μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 30μJ（开），13μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 30μJ（开），13μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 30μJ（开），13μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 10A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 10A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 10A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 10A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，1.2A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，1.2A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，1.2A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.6V @ 15V，1.2A   25°C 时 Td（开/关）值 15ns/80ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/80ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/80ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 15ns/80ns   栅极电荷 9nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 9nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 9nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 9nC