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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-220
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	55ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	60W
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
测试条件	300V，5A，40 欧姆，15V
开关能量	88μJ（开），107μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	15A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.8V @ 15V，5A
25°C 时 Td（开/关）值	13ns/34ns
栅极电荷	16nC
关键词

产品资料

标准包装	1,000

封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-220  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-220  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 55ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 55ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 55ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 55ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 60W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 60W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 60W   Current - Collector (Ic) (Max) 8A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 8A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 8A   测试条件 300V，5A，40 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 300V，5A，40 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，5A，40 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 300V，5A，40 欧姆，15V   开关能量 88μJ（开），107μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 88μJ（开），107μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 88μJ（开），107μJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 88μJ（开），107μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 15A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 15A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 15A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 15A   IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，5A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，5A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，5A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.8V @ 15V，5A   25°C 时 Td（开/关）值 13ns/34ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 13ns/34ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 13ns/34ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 13ns/34ns   栅极电荷 16nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 16nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 16nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 16nC