关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	D-Pak
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Power - Max	45W
测试条件	-
开关能量	-
Current - Collector Pulsed (Icm)	150A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	8V @ 4.5V，150A
25°C 时 Td（开/关）值	-
关键词

产品资料

标准包装	2,500

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷（TR）   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）   Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V   Power - Max 45W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 45W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 45W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 45W   测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 150A   IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 8V @ 4.5V，150A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 8V @ 4.5V，150A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 8V @ 4.5V，150A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 8V @ 4.5V，150A   25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -