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SGW13N60UFDTM
SGW13N60UFDTM -
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
SGW13N60UFDTM
仓库库存编号:
SGW13N60UFDTM-ND
描述:
IGBT 600V 13A 60W D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 13A 60W Surface Mount D2PAK
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SGW13N60UFDTM产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
D2PAK
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
55ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
Power - Max
60W
Current - Collector (Ic) (Max)
13A
测试条件
300V,6.5A,50 欧姆,15V
开关能量
85μJ(开),95μJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
52A
IGBT 类型
-
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
2.6V @ 15V,6.5A
25°C 时 Td(开/关)值
20ns/70ns
栅极电荷
25nC
关键词
产品资料
标准包装
800
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
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安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
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工作温度 -
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系列 -
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包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
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供应商器件封装 D2PAK
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK
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输入类型 标准
Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准
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反向恢复时间(trr) 55ns
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
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Power - Max 60W
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 60W
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Current - Collector (Ic) (Max) 13A
Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 13A
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 13A
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测试条件 300V,6.5A,50 欧姆,15V
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开关能量 85μJ(开),95μJ(关)
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25°C 时 Td(开/关)值 20ns/70ns
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栅极电荷 25nC
Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 25nC
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 25nC
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