USB10H,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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USB10H
USB10H -
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
USB10H
仓库库存编号:
USB10H-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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USB10H产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
SuperSOT?-6
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
170 毫欧 @ 1.9A,4.5V
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.9A
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
441pF @ 10V
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
漏源电压(Vdss)
20V
功率 - 最大值
700mW
关键词
产品资料
标准包装
3,000
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Fairchild/ON Semiconductor
IC D-TYPE POS TRG SNGL SC70-6
型号:
NC7SZ374P6X
仓库库存编号:
NC7SZ374P6XCT-ND
别名:NC7SZ374P6XCT
无铅
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制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?
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包装 带卷(TR)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
供应商器件封装 SuperSOT?-6
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 SuperSOT?-6
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.2nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.2nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.2nC @ 4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.2nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 1.9A,4.5V
Fairchild/ON Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 170 毫欧 @ 1.9A,4.5V
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功率 - 最大值 700mW
Fairchild/ON Semiconductor 功率 - 最大值 700mW
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 700mW
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