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2N7635-GA - 

TRANS SJT 650V 4A TO-257

  • 非库存货
GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2N7635-GA
仓库库存编号：
1242-1146-ND
描述：
TRANS SJT 650V 4A TO-257
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 650V 4A（Tc）（165°C） 47W（Tc） TO-257
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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2N7635-GA产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-257-3  
  制造商  GeneSiC Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 225°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-257  
  技术  SiC（碳化硅结晶体管）  
  Vgs（最大值）  -  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  415 毫欧 @ 4A  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  -  
  FET 类型  -  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4A（Tc）（165°C）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  324pF @ 35V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  47W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N7635-GA
设计资源 2N7635-GA Spice Model
标准包装 10
其它名称 1242-1146

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