2N7640-GA,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2N7640-GA - 

TRANS SJT 650V 16A TO276

  • 非库存货
GeneSiC Semiconductor 2N7640-GA
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
2N7640-GA
仓库库存编号:
1242-1151-ND
描述:
TRANS SJT 650V 16A TO276
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 650V 16A(Tc)(155°C) 330W(Tc) TO-276
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

2N7640-GA产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-276AA  
  制造商  GeneSiC Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 225°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-276  
  技术  SiC(碳化硅结晶体管)  
  Vgs(最大值)  -  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  105 毫欧 @ 16A  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  -  
  FET 类型  -  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  16A(Tc)(155°C)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1534pF @ 35V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  功率耗散(最大值)  330W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 2N7640-GA
设计资源 2N7640-GA Spice Model
标准包装 10
其它名称 1242-1151

2N7640-GA相关搜索

封装/外壳 TO-276AA  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-276AA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-276AA  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-276AA   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)  GeneSiC Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   GeneSiC Semiconductor 包装 散装   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装   GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-276  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 TO-276  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-276  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-276   技术 SiC(碳化硅结晶体管)  GeneSiC Semiconductor 技术 SiC(碳化硅结晶体管)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 SiC(碳化硅结晶体管)  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 SiC(碳化硅结晶体管)   Vgs(最大值) -  GeneSiC Semiconductor Vgs(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) -   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 16A  GeneSiC Semiconductor 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 16A  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 16A  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 105 毫欧 @ 16A   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -  GeneSiC Semiconductor 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -   FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor FET 类型 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 -   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)(155°C)  GeneSiC Semiconductor 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)(155°C)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)(155°C)  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)(155°C)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1534pF @ 35V  GeneSiC Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1534pF @ 35V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1534pF @ 35V  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1534pF @ 35V   FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  GeneSiC Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) -   功率耗散(最大值) 330W(Tc)  GeneSiC Semiconductor 功率耗散(最大值) 330W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 330W(Tc)  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 330W(Tc)   漏源电压(Vdss) 650V  GeneSiC Semiconductor 漏源电压(Vdss) 650V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号