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产品规格

封装/外壳	TO-276AA
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 225°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-276
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
Vgs（最大值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	105 毫欧 @ 16A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	16A（Tc）（155°C）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1534pF @ 35V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	330W（Tc）
漏源电压（Vdss）	650V
关键词

产品资料

数据列表	2N7640-GA
设计资源	2N7640-GA Spice Model
标准包装	10
其它名称	1242-1151

封装/外壳 TO-276AA  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-276AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-276AA  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-276AA   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  GeneSiC Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 225°C（TJ）   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   GeneSiC Semiconductor 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装   GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-276  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 TO-276  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-276  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-276   技术 SiC（碳化硅结晶体管）  GeneSiC Semiconductor 技术 SiC（碳化硅结晶体管）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 SiC（碳化硅结晶体管）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 SiC（碳化硅结晶体管）   Vgs（最大值） -  GeneSiC Semiconductor Vgs（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 16A  GeneSiC Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 16A  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 16A  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 105 毫欧 @ 16A   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  GeneSiC Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -   FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）（155°C）  GeneSiC Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）（155°C）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）（155°C）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）（155°C）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1534pF @ 35V  GeneSiC Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1534pF @ 35V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1534pF @ 35V  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1534pF @ 35V   FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） 330W（Tc）  GeneSiC Semiconductor 功率耗散（最大值） 330W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 330W（Tc）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 330W（Tc）   漏源电压（Vdss） 650V  GeneSiC Semiconductor 漏源电压（Vdss） 650V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 650V