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GA01PNS80-220
GA01PNS80-220 -
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA01PNS80-220
仓库库存编号:
1242-1259-ND
描述:
DIODE SILICON CARBIDE 8KV
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Diode PIN - Single 8000V 2A
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA01PNS80-220产品属性
产品规格
封装/外壳
轴向
制造商
GeneSiC Semiconductor
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
-
功率耗散(最大值)
-
二极管类型
PIN - 单
不同?Vr,F 时的电容
4pF @ 1000V,1MHz
电流 - 最大值
2A
电压 - 峰值反向(最大值)
8000V
不同?If,F 时的电阻
-
关键词
产品资料
数据列表
GA01PNS80-220
标准包装
10
其它名称
1242-1259
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
GeneSiC Semiconductor
DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
详细描述:RF Diode PIN - Single 15000V
型号:
GA01PNS150-220
仓库库存编号:
1242-1258-ND
别名:1242-1258
无铅
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封装/外壳 轴向
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二极管 - 射频 封装/外壳 轴向
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制造商 GeneSiC Semiconductor
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二极管 - 射频 制造商 GeneSiC Semiconductor
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工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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零件状态 在售
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二极管类型 PIN - 单
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二极管 - 射频 二极管类型 PIN - 单
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不同?Vr,F 时的电容 4pF @ 1000V,1MHz
GeneSiC Semiconductor 不同?Vr,F 时的电容 4pF @ 1000V,1MHz
二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 4pF @ 1000V,1MHz
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 射频 不同?Vr,F 时的电容 4pF @ 1000V,1MHz
电流 - 最大值 2A
GeneSiC Semiconductor 电流 - 最大值 2A
二极管 - 射频 电流 - 最大值 2A
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电压 - 峰值反向(最大值) 8000V
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不同?If,F 时的电阻 -
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二极管 - 射频 不同?If,F 时的电阻 -
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