GA05JT03-46,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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GA05JT03-46
GA05JT03-46 -
TRANS SJT 300V 9A
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA05JT03-46
仓库库存编号:
1242-1252-ND
描述:
TRANS SJT 300V 9A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 9A(Tc) 20W(Tc) TO-46
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA05JT03-46产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-46-3
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 225°C(TJ)
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-46
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
Vgs(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
240 毫欧 @ 5A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
FET 类型
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
9A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
20W(Tc)
漏源电压(Vdss)
300V
关键词
产品资料
数据列表
GA05JT03-46
标准包装
200
其它名称
1242-1252
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
SCT2120AFC
仓库库存编号:
SCT2120AFC-ND
无铅
搜索
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 100V 9A
详细描述:通孔 9A(Tc) 20W(Tc) TO-46
型号:
GA05JT01-46
仓库库存编号:
1242-1251-ND
别名:1242-1251
无铅
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制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
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安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 225°C(TJ)
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系列 -
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包装 散装
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零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-46
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