关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247AB
技术	SiC（碳化硅结晶体管）
Vgs（最大值）	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	220 毫欧 @ 6A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	6A（Tc）（90°C）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
功率耗散（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	1200V
关键词

产品资料

数据列表	GA06JT12-247
设计资源	GA06JT12-247 Spice Model
标准包装	30
其它名称	1242-1165 GA06JT12247

封装/外壳 TO-247-3  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 通孔  GeneSiC Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 175°C（TJ）  GeneSiC Semiconductor 工作温度 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 175°C（TJ）   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   GeneSiC Semiconductor 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247AB  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 TO-247AB  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AB  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AB   技术 SiC（碳化硅结晶体管）  GeneSiC Semiconductor 技术 SiC（碳化硅结晶体管）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 SiC（碳化硅结晶体管）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 SiC（碳化硅结晶体管）   Vgs（最大值） -  GeneSiC Semiconductor Vgs（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 6A  GeneSiC Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 6A  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 6A  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 220 毫欧 @ 6A   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  GeneSiC Semiconductor 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -   FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）（90°C）  GeneSiC Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）（90°C）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）（90°C）  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）（90°C）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   功率耗散（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 功率耗散（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） -   漏源电压（Vdss） 1200V  GeneSiC Semiconductor 漏源电压（Vdss） 1200V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1200V  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 1200V