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GA100JT12-227 - 

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
GA100JT12-227
仓库库存编号：
1242-1317-ND
描述：
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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GA100JT12-227产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4，miniBLOC  
  制造商  GeneSiC Semiconductor  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227  
  技术  SiC（碳化硅结晶体管）  
  Vgs（最大值）  -  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  10 毫欧 @ 100A  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  -  
  FET 类型  -  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  160A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  14400pF @ 800V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  535W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  1200V  
关键词         

产品资料
数据列表 GA100JT12-227
标准包装 10
其它名称 1242-1317
GA100JT12-227-ND

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