GA100JT17-227,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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GA100JT17-227
GA100JT17-227 -
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA100JT17-227
仓库库存编号:
1242-1314-ND
描述:
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
底座安装 160A(Tc) 535W(Tc) SOT-227
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA100JT17-227产品属性
产品规格
封装/外壳
SOT-227-4,miniBLOC
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
底座安装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-227
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
Vgs(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
10 毫欧 @ 100A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
FET 类型
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
160A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
14400pF @ 800V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
535W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1700V
关键词
产品资料
数据列表
GA100JT17-227
标准包装
10
其它名称
1242-1314
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
详细描述:通孔 4A(Tc)(95°C) 106W(Tc) TO-247AB
型号:
GA04JT17-247
仓库库存编号:
1242-1134-ND
别名:1242-1134
GA04JT17247
无铅
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GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1200V 160A SOT227
详细描述:TRANS SJT 1200V 160A SOT227
型号:
GA100JT12-227
仓库库存编号:
1242-1317-ND
别名:1242-1317
GA100JT12-227-ND
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MOSFET NCH 1.7KV 72A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 520W(Tc) TO-247-3
型号:
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仓库库存编号:
C2M0045170D-ND
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制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
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安装类型 底座安装
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漏源电压(Vdss) 1700V
GeneSiC Semiconductor 漏源电压(Vdss) 1700V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1700V
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