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GA20SICP12-247
GA20SICP12-247 -
TRANS SJT 1200V 45A TO247
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA20SICP12-247
仓库库存编号:
GA20SICP12-247-ND
描述:
TRANS SJT 1200V 45A TO247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 1200V 45A(Tc) 282W(Tc) TO-247AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA20SICP12-247产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AB
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
Vgs(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
50 毫欧 @ 20A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
FET 类型
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
45A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
3091pF @ 800V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
282W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1200V
关键词
产品资料
数据列表
GA20SICP12-247
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
GeneSiC Semiconductor
TRANS SJT 1.2KV 50A
详细描述:通孔 100A(Tc) 583W(Tc) TO-247AB
型号:
GA50JT12-247
仓库库存编号:
1242-1191-ND
别名:1242-1191
GA50JT12247
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH 1200V 90A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 463W(Tc) TO-247-3
型号:
C2M0025120D
仓库库存编号:
C2M0025120D-ND
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 165W(Tc) TO-247N
型号:
SCT3080KLGC11
仓库库存编号:
SCT3080KLGC11-ND
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Rohm Semiconductor
MOSFET NCH 1.2KV 17A TO247N
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 103W(Tc) TO-247N
型号:
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仓库库存编号:
SCT3160KLGC11-ND
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET N-CH SICFET 1.2KV TO247-4
详细描述:通孔 N 沟道 30.8A(Tc) 119W(Tc) TO-247-4L
型号:
C3M0075120K
仓库库存编号:
C3M0075120K-ND
无铅
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GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3
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制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor
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安装类型 通孔
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GeneSiC Semiconductor 漏源电压(Vdss) 1200V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1200V
GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 1200V
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