GA35XCP12-247,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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GA35XCP12-247
GA35XCP12-247 -
IGBT 1200V SOT247
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA35XCP12-247
仓库库存编号:
1242-1141-ND
描述:
IGBT 1200V SOT247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT PT 1200V Through Hole TO-247AB
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA35XCP12-247产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247AB
输入类型
标准
反向恢复时间(trr)
36ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
测试条件
800V,35A,22欧姆,15V
开关能量
2.66mJ(开),4.35mJ(关)
Current - Collector Pulsed (Icm)
35A
IGBT 类型
PT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3V @ 15V,35A
25°C 时 Td(开/关)值
-
栅极电荷
50nC
关键词
产品资料
数据列表
GA35XCP12-247
标准包装
30
其它名称
1242-1141
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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仓库库存编号:
C2M0080120D-ND
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 165W(Tc) TO-220AB
型号:
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仓库库存编号:
TPD3215M-ND
别名:TPH3215M
TPH3215M-ND
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详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 165W(Tc) TO-247N
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仓库库存编号:
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制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor
安装类型 通孔
GeneSiC Semiconductor 安装类型 通孔
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包装 管件
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 50nC
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