GA50JT17-247,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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GA50JT17-247
GA50JT17-247 -
TRANS SJT 1.7KV 100A
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GA50JT17-247
仓库库存编号:
1242-1247-ND
描述:
TRANS SJT 1.7KV 100A
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 1700V 100A(Tc) 583W(Tc) TO-247
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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GA50JT17-247产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-247-3
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
通孔
工作温度
175°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-247
技术
SiC(碳化硅结晶体管)
Vgs(最大值)
-
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 50A
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
FET 类型
-
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
100A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
-
功率耗散(最大值)
583W(Tc)
漏源电压(Vdss)
1700V
关键词
产品资料
数据列表
GA50JT17-247
标准包装
30
其它名称
1242-1247
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
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TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
详细描述:通孔 8A(Tc)(90°C) 48W(Tc) TO-247AB
型号:
GA08JT17-247
仓库库存编号:
1242-1135-ND
别名:1242-1135
GA08JT17247
无铅
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详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 463W(Tc) TO-247-3
型号:
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仓库库存编号:
C2M0025120D-ND
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型号:
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仓库库存编号:
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别名:497-14960
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Cree/Wolfspeed
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详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 520W(Tc) TO-247-3
型号:
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仓库库存编号:
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详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 339W(Tc) TO-247N
型号:
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仓库库存编号:
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