GB01SLT12-252,GeneSiC Semiconductor,分立半导体产品,二极管 - 整流器 - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
二极管 - 整流器 - 单
>
GB01SLT12-252
GB01SLT12-252 -
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor
制造商产品编号:
GB01SLT12-252
仓库库存编号:
1242-1126-ND
描述:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 1A TO-252
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
GB01SLT12-252产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商
GeneSiC Semiconductor
安装类型
表面贴装
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-252
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
2μA @ 1200V
反向恢复时间(trr)
0ns
电流 - 平均整流(Io)
1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.8V @ 1A
工作温度 - 结
-55°C ~ 175°C
二极管类型
碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)
1200V
不同?Vr,F 时的电容
69pF @ 1V,1MHz
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
关键词
产品资料
数据列表
GB01SLT12-252
设计资源
GB01SLT12-252 Spice Model
标准包装
2,500
其它名称
1242-1126
GB01SLT12252
GB01SLT12-252您可能还对以下元器件感兴趣
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 2A SMA
型号:
B260A-13-F
仓库库存编号:
B260A-FDICT-ND
别名:B260A-FDICT
无铅
搜索
Diodes Incorporated
DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMA
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 1A SMA
型号:
B130-13-F
仓库库存编号:
B130-FDICT-ND
别名:B130-FDICT
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
详细描述:标准 表面贴装 二极管 1A DO-214AC(SMA)
型号:
ES1D-E3/61T
仓库库存编号:
ES1D-E3/61TGICT-ND
别名:ES1D-E3/61TGICT
无铅
搜索
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 2A DO214AC
详细描述:肖特基 表面贴装 二极管 2A DO-214AC(SMA)
型号:
SS26S-E3/61T
仓库库存编号:
SS26S-E3/61TGICT-ND
别名:SS26S-E3/61TGICT
无铅
搜索
Infineon Technologies
DIODE SCHOTTKY 1200V 2A TO252-2
详细描述:碳化硅肖特基 表面贴装 二极管 2A(DC) PG-TO252-2
型号:
IDM02G120C5XTMA1
仓库库存编号:
IDM02G120C5XTMA1CT-ND
别名:IDM02G120C5XTMA1CT
无铅
搜索
GB01SLT12-252相关搜索
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor
二极管 - 整流器 - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor
安装类型 表面贴装
GeneSiC Semiconductor 安装类型 表面贴装
二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装
系列 -
GeneSiC Semiconductor 系列 -
二极管 - 整流器 - 单 系列 -
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 系列 -
包装 散装
GeneSiC Semiconductor 包装 散装
二极管 - 整流器 - 单 包装 散装
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 包装 散装
零件状态 在售
GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售
二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 TO-252
GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 TO-252
二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-252
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-252
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 1200V
GeneSiC Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 1200V
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 1200V
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 2μA @ 1200V
反向恢复时间(trr) 0ns
GeneSiC Semiconductor 反向恢复时间(trr) 0ns
二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 0ns
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 平均整流(Io) 1A
GeneSiC Semiconductor 电流 - 平均整流(Io) 1A
二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 1A
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流(Io) 1A
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 1A
GeneSiC Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 1A
二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 1A
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.8V @ 1A
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
GeneSiC Semiconductor 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
二极管类型 碳化硅肖特基
GeneSiC Semiconductor 二极管类型 碳化硅肖特基
二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V
GeneSiC Semiconductor 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V
二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向(Vr)(最大值) 1200V
不同?Vr,F 时的电容 69pF @ 1V,1MHz
GeneSiC Semiconductor 不同?Vr,F 时的电容 69pF @ 1V,1MHz
二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 69pF @ 1V,1MHz
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr,F 时的电容 69pF @ 1V,1MHz
速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
GeneSiC Semiconductor 速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
二极管 - 整流器 - 单 速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 速度 无恢复时间 > 500mA(Io)
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号