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产品规格

封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	表面贴装
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-252
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流	50μA @ 1200V
反向恢复时间（trr）	0ns
电流 - 平均整流（Io）	5A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf）	1.8V @ 2A
工作温度 - 结	-55°C ~ 175°C
二极管类型	碳化硅肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）	1200V
不同?Vr，F 时的电容	260pF @ 1V，1MHz
速度	无恢复时间 > 500mA（Io）
关键词

产品资料

数据列表	GB05SLT12-252
设计资源	GB05SLT12-252 Spice Model
标准包装	2,500
其它名称	1242-1129 GB05SLT12252

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  二极管 - 整流器 - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 安装类型 表面贴装  二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 安装类型 表面贴装   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  二极管 - 整流器 - 单 系列 -  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 系列 -   包装 散装   GeneSiC Semiconductor 包装 散装   二极管 - 整流器 - 单 包装 散装   GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 包装 散装    零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 零件状态 在售  二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-252  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 TO-252  二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-252  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 供应商器件封装 TO-252   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 1200V  GeneSiC Semiconductor 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 1200V  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 1200V  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 50μA @ 1200V   反向恢复时间（trr） 0ns  GeneSiC Semiconductor 反向恢复时间（trr） 0ns  二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 0ns  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 反向恢复时间（trr） 0ns   电流 - 平均整流（Io） 5A  GeneSiC Semiconductor 电流 - 平均整流（Io） 5A  二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 5A  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 电流 - 平均整流（Io） 5A   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.8V @ 2A  GeneSiC Semiconductor 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.8V @ 2A  二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.8V @ 2A  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.8V @ 2A   工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  GeneSiC Semiconductor 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C   二极管类型 碳化硅肖特基  GeneSiC Semiconductor 二极管类型 碳化硅肖特基  二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 二极管类型 碳化硅肖特基   电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1200V  GeneSiC Semiconductor 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1200V  二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1200V  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 电压 - DC 反向（Vr）（最大值） 1200V   不同?Vr，F 时的电容 260pF @ 1V，1MHz  GeneSiC Semiconductor 不同?Vr，F 时的电容 260pF @ 1V，1MHz  二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 260pF @ 1V，1MHz  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 不同?Vr，F 时的电容 260pF @ 1V，1MHz   速度 无恢复时间 > 500mA（Io）  GeneSiC Semiconductor 速度 无恢复时间 > 500mA（Io）  二极管 - 整流器 - 单 速度 无恢复时间 > 500mA（Io）  GeneSiC Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 速度 无恢复时间 > 500mA（Io）